Обозначение р+– и п+ — применяется по отношению к слоям, содержащим значительно большую концентрацию легирующей примеси и, следовательно, свободных носителей заряда, чем у обычно применяемых р- и n-областей солнечного элемента.
7
Изотипный переход образуется в полупроводнике одного и того же типа проводимости между слоями с резко отличающимися значениями концентрации одинаковой — донорной или акцепторной — примеси, например между n+– слоем, сильно легированным фосфором, и n– слоем, слабо легированным фосфором.
8
Пленка ITO, названная так по первым буквам английских слов индий — олово — оксид, получается из смеси оксидов олова и индия различными способами.
9
Энергетический спектр протонов и электронов в поясах радиации носит спадающий характер — суточные дозы частиц резко уменьшаются с увеличением их энергии.
